文献类型：期刊文章

作　　者：陈新安[1] 黄庆安[1] 李伟华[1] 刘肃[2]

机构地区：[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京210096 [2]兰州大学微电子研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家863计划项目(2003AA404010);国家杰出青年科学基金项目(50325519)资助

年　　份：2004

卷　　号：41

期　　号：10

起止页码：29-33

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。

关 键 词：硅直接键合 应力 弹性变形  高温退火

分 类 号：TN363]