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上海华力微电子有限公司 收藏

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研究主题:晶圆    刻蚀    半导体    刻蚀工艺    光刻    

研究学科:电子信息类    自动化类    经济学类    电气类    交通运输类    

被引量:55H指数:3北大核心: 17 CSCD: 14

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7,595 条 记 录,以下是 1-10

基于智能服装的消防员位置信息融合研究
1
《武汉纺织大学学报》东华大学信息科学与技术学院;东华大学教育部数字化纺织服装工程技术工程研究中心;上海华力微电子有限公司 林建琴 许武军 李媛媛  出版年:2015
上海市科委长三角联合攻关项目(10595812200);中央高校基本科研业务费专项资金项目(11D10417)
智能防护服在传统的功能性消防服中嵌入检测相关信息的各类传感器,以此可以实时检测火场环境信息等。掌握消防人员在火场中的位置也非常重要,由于采用GPS接收器定位高度的精度并不理想,所以将其与气压高度测量仪组合测量得出消防人员...
关键词:信息融合 智能防护服  GPS接收器 气压高度测量仪  联合卡尔曼滤波  
带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路设计
2
《中国集成电路》上海华力微电子有限公司 陈剑 马腾飞  出版年:2018
本文采用HLMC(华力)55LP工艺,设计了一个输入范围1.6V-3.3V,输出范围为1.2V±2%的BGR(带隙基准源)。本文首先介绍BGR的工作原理,同时着重介绍本设计中所使用的新的设计方法及其优势。本次设计经过Ca...
关键词:带隙基准源 环路补偿  自偏置 修调  
基于高频延迟锁相环的高性能电荷泵的设计与研究
3
《中国集成电路》上海华力集成电路制造有限公司;上海华力微电子有限公司 于建华 李嘉  出版年:2018
本文设计了一款输出频率400MHz-800MHz的高频延迟锁相环(DLL),同时详细分析了电荷泵(CHP)的工作原理和影响CHP性能的因素,然后提出了一系列解决CHP非理想效应的方法。spectre仿真显示,自补偿结构的...
关键词:高频延迟锁相环设计  沟道电荷注入  时钟馈通
半导体刻蚀工艺的晶圆背面颗粒研究
4
《科技资讯》上海华力微电子有限公司 唐在峰 吴智勇 任昱  出版年:2017
半导体制造过程中,干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触,把晶圆固定和支撑住,掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状态、对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。前段刻蚀工艺由...
关键词:半导体制造 晶圆 背面  干法刻蚀 颗粒  
一种电荷泵型低抖动锁相环电路设计
5
《中国集成电路》上海华力微电子有限公司 宋辉英  出版年:2019
本文采用HLMC55LP工艺,设计了一个输入范围5-500MHz,输出范围62.5-1500MHz的CPPLL(电荷泵型锁相环)。本文着重介绍电荷泵型锁相环的整体架构,以及叙述各模块的设计,仿真结果和环路稳定性的定量计算...
关键词:锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 低通滤波器 抖动  
锁相环中高性能电荷泵的电路设计
6
《中国集成电路》上海华力微电子有限公司 陈剑 王志利  出版年:2018
本文对PLL(锁相环)中CHP(电荷泵)电路的工作原理和影响CHP电路性能的因素进行分析,然后基于HLMC55LP工艺,实现了一个应用于PLL中的高性能CHP电路设计。spectre仿真表明,在CHP输出电压的整个变化范...
关键词:锁相环 电荷泵 电流镜 匹配精度  电压毛刺  
栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
7
《半导体技术》上海华力微电子有限公司 张红伟  出版年:2015
国家重大科技02专项资助项目(2011ZX02501)
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成...
关键词:原位水蒸气生成(ISSG)  栅介质氧化层缺失  界面态 负偏压不稳定性(NBTI)  静态随机存储器(SRAM)成品率  
55 nm接触孔刻蚀工艺改善
8
《集成电路应用》上海华力微电子有限公司 龚华  出版年:2018
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)
55 nm接触孔刻蚀在该工艺窗口检查发现严重良率损失的问题,通过改变接触孔刻蚀这个工艺模块的工艺流程,使用了更先进的图形膜工艺可以解决这一问题。先进图形膜工艺与传统光刻胶相比对刻蚀后的接触孔边缘条纹与变形可进行良好的控制...
关键词:集成电路制造 接触孔刻蚀  光阻 先进图形膜  关键尺寸  工艺窗口  
基于55 nm工艺大容量EFUSE烧写特性研究
9
《集成电路应用》上海华力微电子有限公司 武建宏 左卫松  出版年:2018
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)
传统EFUSE烧写主要通过电压与时间的组合来实现。但是由于大容量的EFUSE本身内部的寄生电阻造成EFUSE的各个单元的应加条件不同,导致烧写结果不同。而采用传统电压方式烧写EFUSE可能出现瞬间大电流,导致EFUSE热...
关键词:集成电路制造 EFUSE  电迁移
共享手臂型涂胶显影机特殊T形缺陷成因及解决办法研究
10
《中国集成电路》上海华力微电子有限公司 秦利鹏  出版年:2019
随着光刻图形尺寸越来越小,缺陷(任何对目标图形的偏离)对产品良率影响越来越大。在各种各样的缺陷产生原因中,显影缺陷是影响产品良率的一种主要的缺陷来源。本文通过对T map缺陷所经过涂胶与显影单元次数分析,在仔细研究显影单...
关键词:光刻 缺陷  Tmap  回吸
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