文献类型：期刊文章

作　　者：秦利鹏[1]

QIN Li-peng(Shanghai Huali Microelectronics Corporation,Shanghai 201203,China)

机构地区：[1]上海华力微电子有限公司,上海201203

出　　处：《中国集成电路》

年　　份：2019

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：66-69

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：随着光刻图形尺寸越来越小,缺陷(任何对目标图形的偏离)对产品良率影响越来越大。在各种各样的缺陷产生原因中,显影缺陷是影响产品良率的一种主要的缺陷来源。本文通过对T map缺陷所经过涂胶与显影单元次数分析,在仔细研究显影单元构造,推论出显影nozzle回到起始位置过程中,显影液偷滴到所经过显影单元内正在旋干的spin wafer上造成了T map缺陷,并通过实验验证了推论结论。在明确成因的基础上,进一步给出了显影nozzle回吸调整方法,避免了T map再次发生造成的产品报废,给行业内解决同类缺陷提供了参考。

关 键 词：光刻 缺陷  Tmap  回吸

分 类 号：TN305.7]