文献类型：期刊文章

作　　者：武建宏[1] 左卫松[1]

WU Jianhong;ZUO Weisong(Shanghai Huali Microelectronics Co. Ltd, Shanghai 201203, China.)

机构地区：[1]上海华力微电子有限公司,上海201203

出　　处：《集成电路应用》

基　　金：上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)

年　　份：2018

卷　　号：35

期　　号：6

起止页码：29-32

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：传统EFUSE烧写主要通过电压与时间的组合来实现。但是由于大容量的EFUSE本身内部的寄生电阻造成EFUSE的各个单元的应加条件不同,导致烧写结果不同。而采用传统电压方式烧写EFUSE可能出现瞬间大电流,导致EFUSE热效应爆炸或熔断。在这种效应下EFUSE炸出的东西会污染周边电路导致短路失效。或者EFUSE熔化扭曲消耗的能量,导致EFUSE没有烧断。当EFUSE在高温烘烤时熔断部分可能再次连接导致EFUSE数据失效。即使烧断也有部分EFUSE单元熔后电阻偏小,影响长期使用的可靠性。采用电流模式的EFUSE烧写可以有效避免热效应产生的可靠性问题,使EFUSE在电迁移模式下进行可靠烧写编程。

关 键 词：集成电路制造 EFUSE  电迁移

分 类 号：TN405]