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排序方式：
- IGBT技术发展综述
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- 《半导体技术》南京电子器件研究所 叶立剑 邹勉 杨小慧 出版年：2008
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料S...
- 关键词：绝缘栅双极晶体管 专利 碳化硅 掺砷
- 立体显示技术新进展
- 2
- 《光电子技术》南京电子器件研究所 贾正根 出版年：2001
- 介绍新型立体显示技术。
- 关键词：立体显示 凸透镜 视差 显示技术
- 紫外成像技术及其应用
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- 《光电子技术》南京电子器件研究所 滕鹤松 出版年：2001
- 紫外光应用技术正处于快速发展时期 ,从 2 0世纪 80年代末开始 ,已进入实质性的研究和应用 ;紫外成像技术早期主要应用于军事领域 ,现又可用于警用刑侦的现场侦查取证等领域。本文介绍了紫外成像系统的主要组成部分以及在军...
- 关键词：紫外成像 军事 警用 光电技术
- 新型紫外探测器及其应用
- 4
- 《光电子技术》南京电子器件研究所 李慧蕊 出版年：2000
- 综述了我所研制的新型紫外探测器的工作原理、结构设计。介绍了这类具有极高灵敏度和超快时间响应探测器的主要技术性能及其在高技术武器装备和民用市场的潜在应用。
- 关键词：紫外线探测器 性能 工作原理 应用
- 3D堆叠技术及TSV技术
- 5
- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所 朱健 出版年：2012
- 介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连...
- 关键词：三维堆叠 硅通孔 三维集成
- PECVD SiO_2薄膜内应力研究
- 6
- 《半导体技术》南京电子器件研究所 孙俊峰 石霞 出版年：2008
- 研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数...
- 关键词：内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积
- 匹配电路谐波特性对功率放大器性能的影响
- 7
- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所 李辉 陈效建 出版年：2002
- 用 HP EESOF Series IV软件的负载牵引法对功率放大器进行分析 ,给出了匹配电路的基波特性及谐波特性对功率放大器性能的负载牵引结果 ,提出了功率放大器匹配电路谐波设计的思想 。
- 关键词：匹配电路 谐波特性 性能 功率放大器
- 基于毛纽扣的LTCC微波模块垂直互连技术
- 8
- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 徐利 王子良 胡进 陈昱晖 郭玉红 出版年：2013
- 基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,采用了一种三线型毛纽扣微波垂直互连结构并使用三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构的模型进行分析与优化。通过对相应工艺的研究,制作了三线型毛纽扣垂直互连...
- 关键词：三维多芯片组件 低温共烧陶瓷 三线型毛纽扣 微波垂直互连
- T/R组件核心技术最新发展综述(一)
- 9
- 《中国电子科学研究院学报》南京电子器件研究所 吴礼群 孙再吉 出版年：2012
- 以固态T/R组件为核心的有源相控阵(AESA)技术在雷达、电子战、制导武器和通信等领域都得到了广泛应用。T/R组件的成本约占整个相控阵雷达系统造价的60%,是固态有源相控阵雷达的核心。首先阐述了有源相控阵雷达T/R组件中...
- 关键词：T/R组件 微波单片集成电路 微波多芯片组件
- 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
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- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所 王玉林 郑雪帆 陈效建 出版年：1999
- 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化，...
- 关键词：异质结器件 氮化硅薄膜 工艺 PECVD
