期刊文章详细信息
低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
A Method for PECVD Silicon Nitride Film Stress Control
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016
年 份：1999
卷 号：19
期 号：4
起止页码：448-452
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化，对器件，尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。
关 键 词：异质结器件 氮化硅薄膜 工艺 PECVD
分 类 号：TN304.055]
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