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PECVD SiO_2薄膜内应力研究
Study of Internal Stress in PECVD SiO_2 Thin Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016
年 份：2008
卷 号：33
期 号：5
起止页码：397-400
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。
关 键 词：内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积
分 类 号：TN405.98]
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