期刊文章详细信息
IGBT技术发展综述
Review on Development of IGBT Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016
年 份：2008
卷 号：33
期 号：11
起止页码：937-940
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间。
关 键 词：绝缘栅双极晶体管 专利 碳化硅 掺砷
分 类 号：TN389]
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