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北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室

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研究主题：SIGE 硅 HBT 发射结大功率

研究学科：电子信息类

被引量：1H指数：1WOS: 1 EI: 2 北大核心: 3 CSCD: 4

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SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响 ( EI收录): 1; 《Journal of Semiconductors》北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室徐晨沈光地陈建新邹德恕李建军罗辑魏欢周静董欣出版年：2000; 国家"8 63"计划!:No.863-30 7-1 0 5-4 ( 0 6) ;国家自然科学基金!:No.698760 0 4 ;国家自然科学基金重大项目 !:No.698962 60 -0; 研究了 Si Ge/Si HBT基区 B杂质的偏析和外扩散对器件的影响 .发现用 MBE生长的Si Ge基区中 ,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能 .采用数值计算分析了 B杂...; 关键词：SIGE HBT 寄生势垒低温特性

新型大功率双波长半导体激光器的研制: 2; 《固体电子学研究与进展》北京工业大学电子工程系北京光电子技术实验室郭伟玲田咏桃李建军马丽娜鲁鹏程王婷邹德恕沈光地出版年：2005; 国家 973计划 (No.2 0 0 0 0 683 -0 2 ) ;北京市科委项目 (KP0 2 0 42 0 0 2 0 1) ;北京市教委项目 (2 0 0 2 KJ0 18); 提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和...; 关键词：大功率半导体激光器双波长隧道结

Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用: 3; 《北京工业大学学报》北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地出版年：1996; 国家科委"863计划"资助项目; 对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。; 关键词：硅硅锗半导体工艺腐蚀停止技术

LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究 ( EI收录): 4; 《Journal of Semiconductors》北京工业大学电子工程系陈建新邹德恕张时明韩军沈光地出版年：1996; 本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高...; 关键词：SIGE LPE法硅外延生长电子特性

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