文献类型：期刊文章

作　　者：徐晨[1] 沈光地[1] 陈建新[1] 邹德恕[1] 李建军[1] 罗辑[1] 魏欢[1] 周静[1] 董欣[1]

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家"8 63"计划!:No.863-30 7-1 0 5-4 ( 0 6) ;国家自然科学基金!:No.698760 0 4 ;国家自然科学基金重大项目 !:No.698962 60 -0

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：12

起止页码：1208-1213

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001396661332)、IC、JST、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了 Si Ge/Si HBT基区 B杂质的偏析和外扩散对器件的影响 .发现用 MBE生长的Si Ge基区中 ,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能 .采用数值计算分析了 B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系 ,解释了器件温度特性的实验结果 .并根据计算模拟和实验 ,讨论了 Si

关 键 词：SIGE HBT 寄生势垒  低温特性  

分 类 号：TN304]