文献类型：期刊文章

作　　者：陈建新[1] 邹德恕[1] 张时明[1] 韩军[1] 沈光地[1]

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1996

卷　　号：17

期　　号：12

起止页码：886-890

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1997243625322)、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质引入能级的电子激活能Ｅｎ与Ｇｅ的组分ｘ有关．但在ｘ＝０．８３时有最大值．其值分别为Ｂｉ在Ｓｔ，Ｇｅ体材料中的１／４．这表明用ＬＰＥ生长的ＳｉＧｅ层的电子特性不但与Ｂｉ而且还与ＳｉＧｅ的结构特性有关．

关 键 词：SIGE LPE法硅  外延生长  电子特性

分 类 号：TN304.2]