期刊文章详细信息
Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
Study of Si/SiGe Etching Stop Technique and Its Application in Fabricating the Si/SiGe HBTs
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室,北京工业大学化学与环境工程学系
基 金：国家科委"863计划"资助项目
年 份：1996
卷 号：22
期 号：2
起止页码：55-60
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、MR、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
关 键 词：硅 硅锗 半导体工艺 腐蚀停止技术
分 类 号：TN305.2]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
