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陕西微电子学研究所 收藏

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研究主题:集成电路    体系结构    VLSI    电路    程序设计    

研究学科:自动化类    电子信息类    经济学类    电气类    

被引量:30H指数:3WOS: 6 EI: 14 北大核心: 36 CSCD: 39

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60 条 记 录,以下是 1-10

边界扫描体系结构的一种实现设计
1
《小型微型计算机系统》陕西微电子学研究所 沈绪榜 梁松海  出版年:1991
本文主要从扫描路径.测试控制与BIST等三个方面,讨论了JTAG边界扫描体系结构在PCB级,IC级与模块级的一种实现设计.
关键词:微机 扫描体系  结构  设计  
一种新的操作调度算法 ( EI收录)
2
《计算机学报》陕西微电子学研究所 袁小龙 沈绪榜  出版年:1997
操作调度是高级综合中的主要任务.本文对当前大多数高级综合系统所采用的调度算法进行分析之后,针对它们的全局性差、计算复杂度大的不足之处,提出了一种新的操作调度算法.经实验证明,该算法具有高效、复杂度低的特点,并且能够产生全...
关键词:高级综合  操作调度  目标函数 算法  
短沟道薄硅膜CMOS/SIMOX电路的研究 ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》北京师范大学低能核物理研究所;陕西微电子学研究所 陈南翔 石涌泉 王忠烈 黄敞  出版年:1990
通过大剂量氧离子注入(150key,2×10^(18)O^+/cm^2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电...
关键词:薄硅源  沟道效应 CMOS/SIMOX 电路
应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究 ( EI收录)
4
《Journal of Semiconductors》江苏自动化研究所;陕西微电子学研究所 徐大林 王方 李荫波 彭忠献 黄敬  出版年:1990
提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度...
关键词:VLSI PSSWS-LDD  MOSFET 优化工艺  
边界扫描路径的接口控制器设计
5
《小型微型计算机系统》陕西微电子学研究所 沈绪榜 欧文聪 梁松海 蒋安平  出版年:1992
本文主要从体系结构,扫描速率与实现分析等三个方面,讨论了一个边界扫描路径接口控制器BSPM的设计问题.
关键词:计算机 边界扫描路径  接口控制器
Barrel Shifter的三种实现方案
6
《小型微型计算机系统》陕西微电子学研究所 沈绪榜 蒋安平  出版年:1993
本文详细地研究了现代RISC微处理机的一个重要功能部件BS(Barrel-Shifter)的三种实现方案,并从VLSI实现的角度对三种方案进行了比较,根据比较结果,最后决定在我们自行设计的32位嵌入式定点RISC微处理机...
关键词:BS 微处理机 功能部件  
LS MPP的模型选择 ( EI收录)
7
《计算机学报》陕西微电子学研究所 沈绪榜 曹喜信  出版年:1997
LSMPP是针对图象理解应用而设计的一种大规模并行计算系统.本文主要介绍了并行体系结构、程序设计与计算的抽象模型的选择.这些模型的选择为LSMPP的设计提供了基础知识.
关键词:体系结构 程序设计 模型  LSMPP  并行计算机系统
一种循环结构的折叠调度算法
8
《计算机工程与应用》陕西微电子学研究所 袁小龙 沈绪榜  出版年:1997
操作调度是高级综合中的重要任务。本文提出了一种采用循环折叠对循环结构进行调度的调度算法。该算法可处理具有迭代间数据依赖的循环结构,复杂度低,采用它可获得具有最小迭代时间的循环结构的调度。经实验证明,该算法具有简单易懂且运...
关键词:循环结构  数字系统 高级综合  折叠调度  算法  
反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究
9
《电子工艺技术》陕西微电子学研究所 余山 章定康 黄敝  出版年:1991
反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
关键词:微细加工 离子刻蚀 SIN 集成电路  
抑制SOS MOSFET漏电措施的研究 ( EI收录)
10
《Journal of Semiconductors》陕西微电子学研究所 张兴 石涌泉 路泉 黄敞  出版年:1993
经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成硅岛工艺及背沟道注入工艺。采用这些措施之后,沟道长度为2...
关键词:场效应晶体管 漏电措施  MOSFET
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