文献类型：期刊文章

作　　者：陈南翔[1] 石涌泉[2] 王忠烈[1] 黄敞[2]

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所 [2]陕西微电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1990

卷　　号：11

期　　号：4

起止页码：305-310

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1990090514096)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过大剂量氧离子注入(150key,2×10^(18)O^+/cm^2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。

关 键 词：薄硅源  沟道效应 CMOS/SIMOX 电路

分 类 号：TN405]