期刊文章详细信息
反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]陕西微电子学研究所
年 份：1991
期 号：5
起止页码：17-19
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
关 键 词：微细加工 离子刻蚀 SIN 集成电路
分 类 号：TN405.983]
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