文献类型：期刊文章

作　　者：张兴[1] 石涌泉[1] 路泉[1] 黄敞[1]

机构地区：[1]陕西微电子学研究所,临潼710600

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1993

卷　　号：14

期　　号：6

起止页码：381-384

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成硅岛工艺及背沟道注入工艺。采用这些措施之后,沟道长度为2μm的N沟和P沟环形栅晶体管的漏电分别为:2.5×10^(-12)A/μm 沟道宽度和1.5×10^(-12)A/μm沟道宽度。

关 键 词：场效应晶体管 漏电措施  MOSFET

分 类 号：TN386]