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河北工业大学材料研究中心 收藏

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研究主题:多孔硅    氧    NTDCZSI    光致发光    中子嬗变掺杂    

研究学科:电子信息类    电气类    

被引量:53H指数:4WOS: 2 EI: 8 北大核心: 8 CSCD: 8

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15 条 记 录,以下是 1-10

软磁锰锌铁氧体纳米晶的制备及测试分析 ( EI收录)
1
《人工晶体学报》河北工业大学材料研究中心;河北师范大学化学学院 崔银芳 王新 魏雨 郝顺利 王永明  出版年:2005
河北省自然科学基金(E2005000027);河北省博士基金(No.04547006D-27)资助项目
本文论述了用一种改进的方法—共沉淀沸腾回流法制备软磁锰锌铁氧体纳米晶。在生成反应前驱体时,通过变换溶液的pH值,得到粒径不同的五个样品,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和粉末样品磁强共振计(VSM)对其显微...
关键词:锰锌铁氧体 纳米晶 制备方法  尖品石结构  磁性能
反应烧结氮化硅陶瓷模具材料的研究
2
《中国陶瓷工业》河北工业大学材料研究中心 梁金生 梁广川  出版年:2000
用反应烧结方法制备氮化硅陶瓷材料模具 ,然后将其安装在YA - 1 0 0型四柱液压拉深机上进行拉深不锈钢实验。结果证明 :与水基润滑剂配合 ,反应烧结氮化硅陶瓷材料模具拉深SUS30 4不锈钢时 ,拉深件不产生划痕、划...
关键词:模具材料  氮化硅陶瓷 反应烧吉  
利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体 ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》河北工业大学材料研究中心 张维连 孙军生 张恩怀 李嘉席  出版年:2001
国家自然科学基金资助项目 !(5 9772 0 3 7)&&
设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从...
关键词:永磁场 直拉炉  锗硅单晶  单晶硅 掺杂
硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响 ( EI收录)
4
《Journal of Semiconductors》河北工业大学材料研究中心;北京太阳能研究所;云南半导体器件厂 任丙彦 左燕 霍秀敏 励旭东 王文静 许颖 赵玉文 朱惠民 傅洪波  出版年:2004
河北省自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 10 19)~~
采用 1 0 0 m m厚度 4 0 0 μm、电阻率为 0 .8~ 2 Ω· cm的 p(1 0 0 ) CZ硅片制作硅光单体电源 ,并对 RTP和铝背场烧结工艺进行了研究 .实验发现 :快速热退火工艺对硅片少子寿命...
关键词:RTP 氧沉淀 少子寿命 吸杂
微量元素保健釉的研究
5
《中国陶瓷》河北工业大学材料研究中心 张雯  出版年:2000
综合土壤学、生物学和营养学的理论 ,指出人体中已经缺乏微量元素 ,必需给予补充。设想了一种补充微量元素的途径———制作微量元素保健釉 ,并探讨了制作微量元素保健釉的可行性、方法。
关键词:人体  微量元素 保健釉  制法 陶瓷 瓷釉
Bi_2O_3基固体电解质材料改性研究 ( EI收录)
6
《功能材料》河北工业大学材料研究中心;天津大学材料学院 梁广川 刘文西 陈玉如 靳为  出版年:2001
天津市自然科学基金资助项目 (99380 30 1 1 )
对Bi2 O3 基固体电解质进行了研究。实验确认 ,在Bi2 O3 Y2 O3 系统中掺入ZrO2 可抑制Bi2 O3 立方到菱方相变 ,使其在低温长时间退火后还能保持立方相 ,ZrO2 抑制相变的作用是通过降低间隙阳离...
关键词:燃料电池 相变 还原  改性 固体电解质 三氧化铋  
多孔硅红外光激发上转换兰光特性
7
《河北工业大学学报》河北工业大学材料研究中心 崔德升 刘彩池 任丙彦 张颖怀  出版年:1997
河北省自然科学基金
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了防在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期限内峰值强度有明显的增强.这种...
关键词:多孔硅 光激发 上转换  荧光
无机非金属材料的发展阶段及特征
8
《陶瓷工程》河北工业大学材料研究中心;天津标准国际建材有限公司 张雯 熊秋明  出版年:1999
关键词:无机非金属材料 发展史  特征  
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除 ( EI收录)
9
《功能材料》河北工业大学材料研究中心 张维连 王志军 孙军生 张颖怀 张恩怀  出版年:1998
在适当温度退火时,中子嬗变掺杂(NTD)的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐...
关键词:中子嬗变掺杂 辐照缺陷 CZSI 氧沉淀退火  
ANALYSIS ON THERMAL CONDUCTIVITY OF AlN CERAMIC SUBSTRATE ( EI收录)
10
《Transactions of Tianjin University》天津大学材料科学与工程学院;河北工业大学材料研究中心 梁广川 梁金生 梁秀红  出版年:2000
The experiments and theoretical analysis on the thermal conductivity of AlN ceramic substrate are carried out....
关键词:ALN SUBSTRATE thermal conductivity  OXYGEN
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