期刊文章详细信息
多孔硅红外光激发上转换兰光特性
Infrared-excitation Upconversion Blue Light Characteristics of Porous Silicon
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学材料研究中心,天津300130
基 金：河北省自然科学基金
年 份：1997
卷 号：26
期 号：4
起止页码：16-19
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：采用电化学腐蚀法制备多孔硅（PS），测量了防在近红外光（800nm）激发下的光致发光（PL）谱和光致发光激发（PLE）谱，结果表明PS具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期限内峰值强度有明显的增强．这种非线性光学响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激于被激发有关．硅片初始电阻车越低，发光强度越大．
关 键 词：多孔硅 光激发 上转换 荧光
分 类 号：TN204] TN304.12
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