文献类型：期刊文章

作　　者：任丙彦[1] 左燕[1] 霍秀敏[1] 励旭东[2] 王文静[2] 许颖[2] 赵玉文[2] 朱惠民[3] 傅洪波[3]

机构地区：[1]河北工业大学材料研究中心,天津300130 [2]北京太阳能研究所,北京100083 [3]云南半导体器件厂,昆明650200

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：河北省自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 10 19)~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：8

起止页码：942-945

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004478470191)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用 1 0 0 m m厚度 4 0 0 μm、电阻率为 0 .8～ 2 Ω· cm的 p(1 0 0 ) CZ硅片制作硅光单体电源 ,并对 RTP和铝背场烧结工艺进行了研究 .实验发现 :快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响 .铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,并减少了载流子的复合中心 ,从而提高了光生载流子的扩散长度 。

关 键 词：RTP 氧沉淀 少子寿命 吸杂

分 类 号：TM914]