文献类型：期刊文章

作　　者：任丙彦[1] 刘彩池[1] 张颖怀[1] 崔德升[1] 王水凤[2] 曾庆城[2]

机构地区：[1]河北工业大学材料研究中心,天津300130 [2]南昌大学物理系,南昌330047

出　　处：《光学学报》

基　　金：河北省自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：19

期　　号：8

起止页码：1138-1141

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强， 被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关， 光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。

关 键 词：多孔硅 光致姚  发光机理 非线性光学

分 类 号：TN204]