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南阳理工学院材料研究中心 收藏

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研究主题:快速热退火    纳米硅    非晶硅薄膜    拉曼散射    快速退火    

研究学科:电子信息类    

被引量:33H指数:4WOS: 2 EI: 2 北大核心: 4 CSCD: 3

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5 条 记 录,以下是 1-5

利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒
1
《物理实验》南阳理工学院材料研究中心;清华大学物理系 薛清 郁伟中 黄远明  出版年:2002
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分析 .实验结果表明 :纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成 ,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热...
关键词:非晶硅薄膜 纳米硅晶粒  拉曼散射 快速热退火 X射线衍射 晶体生长
氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文) ( EI收录)
2
《光子学报》南阳理工学院材料研究中心 周国运 黄远明  出版年:2001
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0~ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 ...
关键词:纳米晶硅  光致发光 RAMAN散射 快速退火 氢化非晶硅薄膜
热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响
3
《量子电子学报》南阳理工学院材料研究中心 薛清 黄远明  出版年:2002
含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时(~1...
关键词:纳米硅 拉曼散射 快速热退火 X-射线衍射 非晶硅薄膜
多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究 ( EI收录 SCI收录)
4
《光谱学与光谱分析》南阳理工学院材料研究中心;河南大学物理系 周国运 高卫东 徐国定 薛清 陈兰莉 莫育俊  出版年:2001
河南省自然科学基金资助项目
报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔...
关键词:多孔硅 钝化 光致发光谱 氯化镍 电解  
a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)
5
《微纳电子技术》南阳理工学院材料研究中心;清华大学物理系 薛清 郁伟中 黄远明  出版年:2002
报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(~1...
关键词:热处理  纳米硅 喇曼散射 快速热退火 X射线衍射 颗粒尺寸
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