文献类型：期刊文章

作　　者：周国运[1] 高卫东[2] 徐国定[2] 薛清[1] 陈兰莉[1] 莫育俊[2]

机构地区：[1]南阳理工学院材料研究中心,南阳473004 [2]河南大学物理系,开封475001

出　　处：《光谱学与光谱分析》

基　　金：河南省自然科学基金资助项目

年　　份：2001

卷　　号：21

期　　号：4

起止页码：441-442

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000170980700008)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000170980700008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。

关 键 词：多孔硅 镍 钝化 光致发光谱 氯化镍 电解  

分 类 号：TG178]