文献类型：期刊文章

作　　者：薛清[1] 郁伟中[2] 黄远明[1]

机构地区：[1]南阳理工学院材料研究中心,河南南阳473004 [2]清华大学物理系,北京100084

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2002

卷　　号：39

期　　号：7

起止页码：21-26

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。

关 键 词：热处理  纳米硅 喇曼散射 快速热退火 X射线衍射 颗粒尺寸

分 类 号：TN304.12] TG15]