文献类型：期刊文章

作　　者：薛清[1] 郁伟中[2] 黄远明[1]

机构地区：[1]南阳理工学院材料研究中心,河南南阳473004 [2]清华大学物理系,北京100084

出　　处：《物理实验》

年　　份：2002

卷　　号：22

期　　号：8

起止页码：17-20

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、核心刊

摘　　要：报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分析 .实验结果表明 :纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成 ,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化 .在升温过程中 ,若单位时间内温度变化量较大 (～ 10 0℃ / s) ,则所形成纳米硅粒较小 (1.6～ 15 nm) ;若单位时间内温度变化量较低 (～ 1℃ / s) ,则纳米硅粒较大 (2 3～ 4 6 nm) .根据晶体生长理论和计算机模拟 。

关 键 词：非晶硅薄膜 纳米硅晶粒  拉曼散射 快速热退火 X射线衍射 晶体生长

分 类 号：TN304.12] O782]