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华中理工大学电子科学与技术系 收藏

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研究主题:铁电薄膜    吸波材料    反射系数    各向异性    热释电    

研究学科:电气类    电子信息类    自动化类    机械类    交通运输类    

被引量:454H指数:9WOS: 2 EI: 10 北大核心: 89 CSCD: 109

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137 条 记 录,以下是 1-10

高ε_(r)微波介质陶瓷的结构、介电性质及其研究进展 ( EI收录)
1
《功能材料》华中理工大学电子科学与技术系;华工科技产业股份有限公司 吕文中 张道礼 黎步银 姜胜林 周东祥 王红玲  出版年:2000
回国留学人员基金;校"人才引进"基金
讨论了BaO-Ln2O3-TiO2(Ln为镧系稀土元素,下同)、CaO-Li2O-Ln2O2-TiO2、铅基钙钛矿等系列高εr微波介质陶瓷的结构、介电性质,分析了其介电性质随不同A位、B位离子的变化规律。指出A位、B位离...
关键词:高ε_(r)微波介质陶瓷  介电特性 结构  极化 损耗
磁场引导水溶还原法制备磁性金属纤维
2
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 赵振声 吴明忠 何华辉  出版年:1998
提出了用磁场引导水溶还原法制备磁性金属纤维的新思想,分析了用这种方法制备磁性金属纤维的机理和动力学过程,给出了实验结果.实验表明,磁场引导水溶还原法适合于制备磁性金属纤维,且纤维的直径在μm和亚μm数量级.
关键词:磁场引导  水溶还原法  磁性金属纤维  吸波材料
雷达吸波材料对斜入射电磁波的反射
3
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 赵振声 吴明忠 何华辉  出版年:1998
从电磁场理论出发导出了电磁波斜入射时多层RAM的反射系数公式;讨论了所导出公式与其他反射系数公式的关系;通过数值计算分析了电磁波的入射角、极化状态等对反射特性的影响.
关键词:雷达吸波材料 吸波材料 反射系数 斜入射 电磁波
单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射
4
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 吴明忠 赵振声 何华辉  出版年:1998
由单轴各向异性媒质中的麦克斯韦方程出发,导出了单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射系数公式;通过数值计算,分析了单轴各向异性吸波材料的斜入射特性,得到负单轴RAM的吸波性能优于正单轴RAM的吸波性能及负单轴RAM的吸...
关键词:吸波材料 反射系数 各向异性 斜入射 电磁波
sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究
5
《电子元件与材料》华中理工大学电子科学与技术系;湖北工学院电气工程与计算机科学系 张洪涛 徐重阳  出版年:2000
采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0~ ...
关键词:纳米晶 碳化硅 溶胶-凝胶法
微处理器温度补偿晶体振荡器的设计
6
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 周文利 饶友新 刘刚 高俊雄  出版年:2000
国家九.五重点技术创新项目
设计了一种新的微处理器温度补偿晶体振荡器 (MCXO) ,通过对硬件和软件的精心设计 ,使其达到设计要求 .
关键词:微处理器 温度补偿 晶体振荡器 硬件 软件  MCXO
热电偶热电势—温度特性的线性化处理
7
《仪表技术与传感器》华中理工大学电子科学与技术系 陈羿 周东祥  出版年:1999
文中介绍了热电偶的热电势—温度特性的线性化处理方法及相关的电路设计原理。将热电势—温度特性用幂级数展开,去掉高次项,保留到二次项,将标准刻度表中的数据代入到方程中,用计算机模拟计算确定相关系数。根据所得方程,利用线性放大...
关键词:热电偶 幂级数 热电势 温度 线性化处理  
无导电衬底单轴吸波材料的反射和透射特性
8
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 吴明忠 赵振声 何华辉  出版年:1998
导出了无导电衬底单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射系数和透射系数公式;分析了极化方式、入射角及材料电磁参数等对反射系数和透射系数的影响;得到关于无导电衬底单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射和透射特性的一些重要...
关键词:吸波材料 反射系数 透射系数 单轴各向异性
高压VDMOS场板终端技术的研究
9
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 吴正元 张硕 董晓敏 于军  出版年:1999
采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入聚酰亚胺/SiO2复合介质层进行多层布线,形成阶梯形场板,使VDMOS器件的终端耐压量BV≥700V.
关键词:VDMOS 阶梯形场板  高压场控器件  终端结构
PI电容湿度传感器的研制
10
《华中理工大学学报》华中理工大学电子科学与技术系 吴正元 陈涛 陈萍丽  出版年:1999
采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵敏度...
关键词:聚酰亚胺薄膜 电容式湿度传感器 集成电路光刻工艺  
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