期刊文章详细信息
高压VDMOS场板终端技术的研究
Study on the Field Plate Termination Technology of High Voltage VDMOS
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华中理工大学电子科学与技术系
年 份：1999
卷 号：27
期 号：4
起止页码：43-45
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊
摘 要：采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ．
关 键 词：VDMOS 阶梯形场板 高压场控器件 终端结构
分 类 号：TN386.1]
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