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期刊文章详细信息

sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究    

Preparation of nanometer β-SiC crystal whisker by sol gel process.

  

文献类型:期刊文章

作  者:张洪涛[1,2] 徐重阳[1]

机构地区:[1]华中理工大学电子科学与技术系 [2]湖北工学院电气工程与计算机科学系,湖北武汉430074

出  处:《电子元件与材料》

年  份:2000

卷  号:19

期  号:3

起止页码:9-10

语  种:中文

收录情况:CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘  要:采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0~ 130 0℃下热处理 ,制备出了高纯、低氧含量 ,直径 2~ 10 nm,长度 40~ 80 nm的β- Si C纳米晶须。产物纯度达到 99.92 %。利用 X射线粉晶衍射、透射电镜 (TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究。讨论了反应条件对β- Si

关 键 词:纳米晶 碳化硅 溶胶-凝胶法

分 类 号:TN304.24]

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