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厦门大学电子科学与技术学院微纳光电子研究室

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研究主题：氮化镓硅基GAN 激射特性微腔品质因子

研究学科：电子信息类

被引量：3H指数：1WOS: 1 EI: 2 北大核心: 2 CSCD: 2

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硅基GaN微腔制作及其激射特性(特邀) ( EI收录): 1; 《光子学报》厦门大学电子科学与技术学院微纳光电子研究室马立龙谢敏超欧伟梅洋张保平出版年：2022; 国家重点研究发展计划(No.2017YFE0131500);国家自然科学基金(No.62104204);厦门大学校长基金(No.ZK1029)。; 提出了一种新的Si衬底上GaN微盘谐振腔的制备方式,避免了传统Si基GaN器件中晶体质量较差以及外延层较厚对器件性能的影响。本工作中GaN的外延生长使用蓝宝石衬底,随后将外延层转移至硅衬底上进行微盘谐振腔的制备。外延生长...; 关键词：半导体器件与技术微腔氮化镓硅高品质因子低阈值高温工作

光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响 ( EI收录): 2; 《发光学报》厦门大学电子科学与技术学院微纳光电子研究室;中山大学物理学院光电材料与技术国家重点实验室陈澜吴瑾照龙浩史晓玲应磊莹郑志威丘志仁张保平出版年：2020; 科学挑战专题(TZ2016003);国家自然科学基金(U1505253,11474365)资助项目~~; 围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的...; 关键词：有源区相对光限制因子内量子效率复合寿命垂直腔面发射激光器

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