文献类型：期刊文章

作　　者：陈澜[1] 吴瑾照[1] 龙浩[1] 史晓玲[1] 应磊莹[1] 郑志威[1] 丘志仁[2] 张保平[1]

CHEN Lan;WU Jin-zhao;LONG Hao;SHI Xiao-ling;YING Lei-ying;ZHENG Zhi-wei;QIU Zhi-ren;ZHANG Bao-ping(Laboratory of Micro/Nano-Optoelectronics,School of Electronic Science and Engineering,Xiamen University,Xiamen 361005,China;State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Physics,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510275,China)

机构地区：[1]厦门大学电子科学与技术学院微纳光电子研究室,福建厦门361005 [2]中山大学物理学院光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510275

出　　处：《发光学报》

基　　金：科学挑战专题(TZ2016003);国家自然科学基金(U1505253,11474365)资助项目~~

年　　份：2020

卷　　号：41

期　　号：1

起止页码：48-54

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。

关 键 词：有源区  相对光限制因子  内量子效率 复合寿命  垂直腔面发射激光器

分 类 号：O472.3]