文献类型：期刊文章

作　　者：马立龙[1] 谢敏超[1] 欧伟[1] 梅洋[1] 张保平[1]

MA Lilong;XIE Minchao;OU Wei;MEI Yang;ZHANG Baoping(Laboratory of Micro/Nano-Optoelectronics,School of Electronic Science and Engineering,Xiamen University,Xiamen,Fujian 361005,China)

机构地区：[1]厦门大学电子科学与技术学院微纳光电子研究室,福建厦门361005

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家重点研究发展计划(No.2017YFE0131500);国家自然科学基金(No.62104204);厦门大学校长基金(No.ZK1029)。

年　　份：2022

卷　　号：51

期　　号：2

起止页码：53-61

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种新的Si衬底上GaN微盘谐振腔的制备方式,避免了传统Si基GaN器件中晶体质量较差以及外延层较厚对器件性能的影响。本工作中GaN的外延生长使用蓝宝石衬底,随后将外延层转移至硅衬底上进行微盘谐振腔的制备。外延生长时靠近衬底侧的GaN富缺陷层可使用减薄抛光的方式去除,并且通过简单湿法刻蚀二氧化硅牺牲层即可实现GaN微盘与Si衬底之间的空气间隙结构。基于较好的晶体质量与低损耗的谐振腔,实现了高Q值的Si基GaN微盘谐振腔低阈值激射,阈值能量低至5.2 nJ/pulse,Q值最高为10487。同时,器件具有较好的温度稳定特性,在100℃环境下也能维持低阈值激射,为大规模单片硅基光子集成提供了高性能的激光源。

关 键 词：半导体器件与技术  微腔 氮化镓 硅  高品质因子  低阈值 高温工作  

分 类 号：TN365]