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吉林大学电子科学与技术研究所 收藏

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研究主题:超辐射发光二极管    INGAASP/INP    发光二极管    超辐射    SLD    

研究学科:电子信息类    自动化类    

被引量:3H指数:1EI: 2 北大核心: 2 CSCD: 6

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9 条 记 录,以下是 1-9

超辐射发光二极管(SLD)
1
《半导体情报》吉林大学电子科学与技术研究所 马东阁 石家纬 刘明大 高鼎三  出版年:1993
概述了实现超辐射发光二极管的主要手段以及制备的器件性能和特点,并讨论了其发展趋势。
关键词:光纤陀螺 超辐射 发光二极管
半导体激光器的电导数测试和可靠性分析
2
《吉林大学自然科学学报》吉林大学电子科学与技术研究所 金恩顺 石家纬 马靖 李正庭 高鼎三  出版年:1993
国家自然科学基金
采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.
关键词:半导体激光器 器件参数  可靠性
压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算 ( EI收录)
3
《电子学报》吉林大学电子科学与技术研究所 彭宇恒 陈维友 赵铁民 刘式墉  出版年:1996
本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论,提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法。给出影响峰值增益能量的两个主要因素,讨论了在压缩应变的情况下,Feimi-Dirac分布函数随注...
关键词:峰值增益波长  量子阱激光器 压缩  应变  
1.55μm InGaAsP/InP应变量子阱激光器的LP-MOCVD生长 ( EI收录)
4
《光子学报》集成光电子学国家重点联合实验室 祝进田 李玉东 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉  出版年:1994
本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P...
关键词:应变  量子阱  激光器 化学汽相沉积
CO选择性厚膜气敏元件及其特性
5
《吉林大学自然科学学报》吉林大学电子科学与技术研究所 卢革宇 孙良彦 吕德安 吴家琨 刘正绣 韩敬 魏秀红 邱要武  出版年:1992
本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。
关键词:气敏元件 厚膜 一氧化碳
腔长和注入电流对1.3μm InGaAsP/InP减反射涂层结构超辐射发光二极管特性的影响
6
第六届全国光纤通信学术会议 1993马东阁 石家纬  出版年:1993
关键词:发光二极管 涂层  电流密度
腔长和注入电流对1.3um InGaAsP/InP减反射涂层结构超辐射发光二极管特性的影响
7
第六届全国光纤通信学术会议 1993马东阁 石家纬  出版年:1993
关键词:发光二极管 输出功率测量 发射光谱分析 速率方程 高增透膜 耦合  
指数折射率平面光波导的WKB模方程
8
《吉林大学自然科学学报》吉林大学电子科学与技术研究所 马春生 刘式墉  出版年:1990
文应用WKB法导出了指数折射率平面光波导的模方程。实算结果表明,所给模方程具有很高的精度。
关键词:光波导  指数折射率  WKB法  模方程  
聚(对-苯撑乙烯)衍生物蓝色发光二极管及平面显示
9
《中国科学(B辑)》中国科学院长春应用化学研究所;吉林大学电子科学与技术研究所 马东阁 赵晓江 洪志勇 王岱珂 王淑彬 景遐斌 王佛松 石家纬 金恩顺 向海洲 李淑文 刘明大  出版年:1997
国家自然科学基金;国家"八六三"高科技和中国科学院"九五"重大项目;吉林省青年基金资助项目
成功地合成了柔性脂肪链段和刚性发光链段相互交替的共聚物,并对其进行了表征.发现该聚合物的荧光随柔性链段的增长而增强的实验结果.用所合成的共聚物作发光层,研制出了发光亮度可达190cd/m^2,最小开启电压为15V的发蓝色...
关键词:聚合物  蓝色  发光二极管 PPV PLEDS
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