文献类型：期刊文章

作　　者：祝进田[1] 李玉东[1] 胡礼中[1] 陈松岩[1] 胡朝辉[1] 刘式墉[1]

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与技术研究所

出　　处：《光子学报》

年　　份：1994

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：273-277

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。

关 键 词：应变  量子阱  激光器 化学汽相沉积

分 类 号：TN248]