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北京电力电子新技术研究开发中心 收藏

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研究主题:电力电子技术    IGBT    电力半导体器件    电力电子器件    晶闸管    

研究学科:电子信息类    电气类    机械类    

被引量:81H指数:5WOS: 1 EI: 1 北大核心: 10 CSCD: 10

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51 条 记 录,以下是 1-10

EXB841的缺点及其改进措施
1
《电力电子技术》北京电力电子新技术研究开发中心 王晓秋  出版年:1994
EXB841的缺点及其改进措施北京电力电子新技术研究开发中心王晓秋DisadvantagesofEXB841andItsImprovementStrategy¥//1前言IGBT驱动模块EXB841已广泛应用于开关电源、...
关键词:IGBT 驱动模块 EXB841
面向新世纪的电力电子技术
2
《电源技术应用》北京电力电子新技术研究开发中心 王正元  出版年:2001
以信息处理为对象的微电子技术及其在计算机和通信领域中的飞速发展,是20世纪科学技术实用化的一大盛事:古人幻想的'千里眼'、'顺风耳'已成现实。然而,人类文明赖以存在所需的能源、资源(原材料)
关键词:电力电子技术 信息技术 电力半导体器件 机电产品
迭层功率母线及其在电力电子装置中的应用
3
《电力电子》北京电力电子新技术研究开发中心 王正元 张正南  出版年:2003
1 前言在电力电子技术和应用装置向高频化发展时,系统中特别是连接线的寄生参数越来越成为产生巨大电应力,威胁电力电子装置可靠性的重要因素。运行经验表明,采用GTR器件,开关频率在2kHz左右时,变频装置的总寄生电感不应超过...
关键词:电力电子装置 母线  绝缘层  IGBT 寄生电感 迭层  逆变器  电子器件  导体材料 爬电距离
自动化、电力电子和电动机的发展
4
《自动化博览》北京电力电子新技术研究开发中心 王正元  出版年:2002
介绍了电力电子技术的成熟应用对电动机的优化运行,以及对电动机的设计制造二者的推动和发展。电力电子技术已成为自动化进程中物料流、能源流和智慧流三者汇流的重要接口。
关键词:自动化 电力电子技术 电动机 发展  
迭层功率母线
5
《电力电子》北京电力电子新技术研究开发中心 刘鹿生  出版年:2003
1 前言高速开关和现代封装技术要求变革电子产品传统的功率分配方法——电缆线束、铜片总线和印刷电路板上的电源线与地线,期望功率分配线的电感小,电阻低,电容大,占用空间小。图1b给出的迭层结构功率母线(Bus Bars)已应...
关键词:导体  电阻  导电体  吸收回路 功率电路 交流电导  噪音衰减  功率分配  寄生振荡 迭层  绞线  导线(电) 总线  电感  电阻抗 随机噪音  母线  电力电子  电容  厚度  
开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性
6
《固体电子学研究与进展》山东师范大学半导体研究所;北京电力电子新技术研究开发中心 裴素华 薛成山 赵善麒  出版年:1997
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,...
关键词:晶闸管 开管  镓扩散  快速晶闸管 通态特性
IGBT SPICE模型的建立
7
《电力电子技术》北京电力电子新技术研究开发中心 崔扬 贾林 王正元  出版年:1996
建立IGBT的SPICE模型,结合IGBT的工作原理对其模型进行分析,将仿真结果与实际器件进行了比较.
关键词:仿真模型 双极型晶体管 晶体管
大功率双向晶闸管换向能力的研究
8
《电力电子技术》北京电力电子新技术研究开发中心 赵春麒 郑景春 宋泽令  出版年:1995
国家自然科学基金;吉林省科委资助
在阐述双向晶闸管换向理论的基础上,推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式,提出了改善器件换向能力的主要措施,并指出门极短路结构和12MeV电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶闸管换向能力的一种有效的结构和技术.
关键词:双向晶闸管 换向  电子辐照 晶闸管
一种新型的电火花加工电源
9
《电加工与模具》北京电力电子新技术研究开发中心;北京市电加工研究所 杨彬 翁征明 王正元 曹世杰  出版年:2002
北京市自然科学基金资助项目 (4 0 0 2 0 0 5 )
利用高频开关电源技术和先进的功率MOSFET器件 ,设计了一种高效低耗的电火花加工脉冲电源。本文对这种新型电源的原理进行了探讨与分析 ,并给出样机实验的结果。
关键词:电火花加工 功率MOSFET 开头电源  
IGBT技术的发展历史和最新进展
10
《电力电子》北京电力电子新技术研究开发中心;三菱电机公司功率器件制作所;科菱机电(上海)公司半导体事业部 王正元 由宇义珍 宋高升  出版年:2004
自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来,已有20年过去了。在此期间,IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后,包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为...
关键词:绝缘栅双极晶体管 发展历史  最新进展  
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