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开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性
Improvement on the On-state Characteristics of Fast Thyristor by Using Open-tube Ga-diffusion
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 [2]北京电力电子新技术研究开发中心,100088
年 份：1997
卷 号：17
期 号：3
起止页码：268-271
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。
关 键 词：晶闸管 开管 镓扩散 快速晶闸管 通态特性
分 类 号：TN342] TN305.4
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