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武汉大学理学院加速器实验室

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研究主题：掺杂 GAN材料 SI异质结氮化镓发光

研究学科：电子信息类

被引量：0H指数：0EI: 2 北大核心: 2 CSCD: 2

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离子-C_(60)相互作用及其对C_(60)/Si异质结光电特性的影响 ( EI收录): 1; 《太阳能学报》武汉大学理学院加速器实验室雷园园傅德君李金钗郭怀喜叶明生范湘军出版年：1999; 国家自然科学基金; 用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０—１...; 关键词：离化团簇束沉积光电性质碳60/硅异质结

GaN材料中离子注入的研究进展 ( EI收录): 2; 《材料导报》武汉大学理学院加速器实验室罗海林王琼雷圆圆范湘军出版年：1999; 国家自然科学基金(批准号19775036); 综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。; 关键词：离子注入发光掺杂深能级缺陷氮化镓

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