期刊文章详细信息
GaN材料中离子注入的研究进展 ( EI收录)
Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]武汉大学理学院加速器实验室,武汉430072
基 金：国家自然科学基金(批准号19775036)
年 份：1999
卷 号：13
期 号：2
起止页码：27-29
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊
摘 要：综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
关 键 词：离子注入 发光 掺杂 深能级缺陷 氮化镓
分 类 号：TN304.23] TN305.3
参考文献：
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