文献类型：期刊文章

作　　者：雷园园[1] 傅德君[1] 李金钗[1] 郭怀喜[1] 叶明生[1] 范湘军[1]

机构地区：[1]武汉大学理学院加速器实验室

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：49-54

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０—１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量的增加而下降，ｐ＋注入使膜呈ｎ型电导，离子与Ｃ６０团簇的相互作用导致Ｃ６０分裂，并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Ａｌ得到ｐ型Ｃ６０膜。Ｃ６０／Ｓｉ样品具有明显的异质结特性，光照对结特性有明显响应。

关 键 词：离化团簇束沉积  光电性质 碳60/硅  异质结

分 类 号：O472.8]