中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室

研究主题：高深宽比硅微结构刻蚀技术纳机电系统 ZR

研究学科：电子信息类

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高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用: 1; 《半导体技术》中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室穆继亮郭茂香刘冰陈东红丑修建熊继军出版年：2013; 国家自然科学基金资助项目(51075374); 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽...; 关键词：微纳机电系统高深宽比硅微结构刻蚀技术应用

多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的影响: 2; 《微纳电子技术》中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室杜妙璇耿文平丑修建张文栋出版年：2012; 国家自然科学基金资助项目(51175483);山西省高等学校优秀青年学术带头人-人才支持计划资助项目(晋教科[2010]4号);山西省基础研究计划资助项目(20100210023-6); 采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与...; 关键词：溶胶-凝胶反铁电厚膜退火工艺微观结构电学特性

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