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中芯国际集成电路制造有限公司 收藏

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研究主题:中芯国际    低功耗    电迁移    集成电路    CMOS    

研究学科:电子信息类    自动化类    经济学类    建筑类    环境科学与工程类    

被引量:173H指数:6WOS: 3 EI: 14 北大核心: 69 CSSCI: 2 CSCD: 36 RDFYBKZL: 1

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137 条 记 录,以下是 1-10

综合Canny法与小波变换的边缘检测方法 ( EI收录)
1
《东北大学学报(自然科学版)》东北大学信息科学与工程学院;中芯国际北京集成电路制造有限公司 王蓉 高立群 柴玉华 田磊  出版年:2005
公安部重点项目(20029322301);黑龙江省自然科学基金资助项目(F0318)
提出一种Canny法与小波变换相结合的边缘检测方法.首先,对源图像进行小波分解,在不同分解层上对高频子图像用小波模极大法进行边缘检测,对低频子图像用Canny法进行边缘检测,然后采用一定的融合规则将这两个边缘图像融合在一...
关键词:图像处理 边缘检测 融合技术 融合规则  CANNY算子 小波变换
纳米集成电路大生产中新工艺技术现状及发展趋势
2
《中国科学:信息科学》中芯国际集成电路制造有限公司 吴汉明 吴关平 吴金刚 黄河 俞少峰 李序武 卜伟海  出版年:2012
近年来微纳电子科学和集成电路产业的发展,证明了有效30多年的摩尔定律未来正在受到挑战.在传统的集成电路技术发展似乎走到技术尽头的时候,依靠新材料和新结构的技术发展,摩尔定律才能继续显示其有效性.但是技术发展的步伐呈现减缓...
关键词:微纳电子产业技术  新材料  新工艺  三维系统芯片封装  新型存储器件  先进CMOS制造技术  
基于多尺度形态学大豆图像滤波方法 ( EI收录)
3
《农业工程学报》东北大学信息工程学院;中芯国际(北京)集成电路制造有限公司 柴玉华 高立群 王蓉 田磊  出版年:2006
黑龙江省自然科学基金资助项目(F0318)
提出了一种基于多尺度形态学滤波算法,用于减少噪声影响从而提高大豆图像质量。首先用多尺度结构元素分别对原图像进行开闭重建运算,构造形态学开闭塔;然后计算相邻尺度形态学开闭重建图像间的差,构造亮特征和暗特征的差异塔;最后根据...
关键词:多尺度形态学 图像滤波 形态学塔  大豆图像处理  
地方政府换届与企业募资投向变更的有效性
4
《财经研究》上海财经大学商学院;上海立信会计学院立信会计研究院;中芯国际 王少飞 官峰 高斯达 陈雷雨  出版年:2014
文章以1996-2010年募集资金投向发生变更的观测作为研究样本,实证分析了地方政府换届对企业募集资金后投资行为的影响。结果表明,在地方政府换届年度,面对可能出现的政策调整,并基于与政府建立新关系的需要,企业更有可能变更...
关键词:政府换届  企业投资行为 经济后果
风险投资基金的融投资效率分析
5
《财经研究》中芯国际集成电路制造有限公司;上海财经大学金融学院 林艳 谈儒勇  出版年:2001
本文在对风险投资基金的融投资效率加以定义的基础上 ,对风险投资基金的融资效率和投资效率进行了多方面的分析。在考察了我国风险投资基金融投资效率现状的基础上提出了相应的政策建议。
关键词:风险投资基金 融资效率 投资效率  投资风险保险制度  资本市场
KIO_4和FA/O螯合剂对铜钌CMP的影响
6
《微纳电子技术》河北工业大学微电子研究所;中芯国际(北京)集成电路制造有限公司 安卫静 周建伟 王帅 武鹏 王娟 王辰伟 段波  出版年:2015
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为60 r/min、抛光盘转速为65 r/min、流量为150 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的Ru和Cu进行化学机械抛光...
关键词:化学机械抛光(CMP)  抛光液 去除速率 氧化剂  电偶腐蚀
ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展 ( EI收录)
7
《西安电子科技大学学报》西安电子科技大学微电子研究所;中芯国际集成电路制造有限公司 郝跃 邵波涛 马晓华 韩晓亮 王剑屏  出版年:2005
国家"863"计划资助项目(2003AA1Z1630)
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要.分析和比较了铜互连关键工艺,叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展,对铜互连基本可靠性单元进行了讨论,指出现在仍然存在的问题,并给出了解决...
关键词:铜互连 基本可靠性单元  可靠性技术  
基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现
8
《固体电子学研究与进展》复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;中芯国际集成电路制造有限公司存储器研发中心 金钢 吴雨欣 张佶 黄晓辉 吴金刚 林殷茵  出版年:2011
国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2008AA031401);国家自然科学基金资助项目(60676007);"973"资助项目(2007CB935403)
采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压...
关键词:阻变存储器  1T1R  斜坡脉冲写驱动  多电压字线驱动  读取参考系统  
栅氧化层经时击穿物理模型应用分析
9
《半导体技术》中芯国际集成电路制造有限公司 简维廷 赵永 张荣哲  出版年:2010
讨论了栅氧化层击穿的统计模型,并对业界广泛应用的1/E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究,指出了各个模型应用的局限性,结合实验数据分析,明确给出了各个模型的应用范围。详细讨论了电场加速因子与...
关键词:栅氧化层 经时击穿 激活能 电场加速因子  1/E模型  幂指数模型  
pFlash故障测试算法
10
《微电子学与计算机》上海交通大学电子信息与电气工程学院;中芯国际集成电路制造有限公司 杨丽婷 王琴 倪昊 赵子鉴  出版年:2019
自然基金(61176037)
Flash存储器快速发展得益于便携式设备的进步,而pFlash存储器因编程电压低、功耗小并可以有效抑制带-带隧道效应而被广泛应用.由于可靠性和成本是衡量所有存储器设备性能的两个关键指标,本文提出了一种高效的pFlash故...
关键词:pFlash故障检测算法  棋盘格式向量  March-like算法  Flash故障模型  
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