文献类型：期刊文章

作　　者：安卫静[1] 周建伟[1] 王帅[1] 武鹏[1] 王娟[1] 王辰伟[1] 段波[2]

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130 [2]中芯国际(北京)集成电路制造有限公司,北京100176

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)

年　　份：2015

卷　　号：52

期　　号：10

起止页码：666-670

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为60 r/min、抛光盘转速为65 r/min、流量为150 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的Ru和Cu进行化学机械抛光实验,研究了氧化剂和FA/O螯合剂对Ru化学机械抛光速率以及对Cu和Ru的速率选择比的影响。实验结果表明:KIO4的使用可以大大提高Ru的去除速率,并且当KIO4的浓度为0.02 mol/L,FA/O螯合剂的浓度为3 mL/L时,Cu和Ru之间有很好的速率选择比。此外,通过电化学方法对Cu和Ru表面的腐蚀情况进行了分析研究。结果表明,当KIO4的浓度达到0.02 mol/L时,Cu片和Ru片表面的腐蚀基本不变,并且FA/O螯合剂的加入能略微缓解Cu和Ru之间的电偶腐蚀现象。

关 键 词：化学机械抛光(CMP)  抛光液 去除速率 氧化剂  电偶腐蚀

分 类 号：TN305.2]