中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心

研究主题：超宽光学性质光电性质禁带电子结构

研究学科：电子信息类

被引量：1H指数：1WOS: 1 EI: 1 CSCD: 1

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超宽禁带半导体NaYO_(2)的光电性质的第性原理研究 ( EI收录): 1; 《Chinese Journal of Chemical Physics》中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心;中国科学技术大学超级计算中心 Nisar Muhammad M.U.Muzaffar 李会民丁泽军出版年：2023; The work was supported by the National Key Research and Development Project(2019YFF0216404);Education Ministry through“111 Project 2.0”(BP0719016).; 超宽禁带半导体在发展电子器件的性能方面具有巨大潜力.本文利用密度泛函理论和精确的屏蔽杂化泛函计算了两种不同相的NaYO_(2)的电子和光学性质.电子结构计算结果表明,NaYO_(2)的单斜相和三方相都表现为直接带隙,大小...; 关键词：NaYO_(2) 第一性原理计算电子结构光学性质

V族元素掺杂的单层二维铁电α-In_(2)Se_(3)中的带隙异常增大现象: 2; 《低温物理学报》中国科学技术大学;中国科学技术大学物理学院罗颖王喆朱文光出版年：2021; financially supported by the National Key Research and Development Program of China(2017YFA0204904and 2019YFA0210004);the National Natural Science Foundation of China (11634011);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(Grant No. XDB30000000);Anhui Initiative in Quantum Information Technologies (Grant No.AHY170000);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (WK2340000082and WK2060190084); 基于第一性原理密度泛函理论计算,我们探索了V族元素(P,As和Sb)掺杂的单层二维铁电α-In_(2)Se_(3)的电子结构.由于本征的α-In_(2)Se_(3)中存在两个不等价的In原子层,V族元素掺杂在不同的In原...; 关键词：二维材料铁电性掺杂密度泛函理论计算

石墨烯一维超晶格的扫描隧道显微镜表征: 3; 《低温物理学报》中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心;中国科学技术大学材料科学与工程系唐芮陈晨张铁柱蔡方樑施浩浩李鹏举季恒星秦胜勇出版年：2023; 国家自然科学基金资助项目(项目号11474261);中央高校基本科研业务费专项资金资助(项目号WK3430000003)资助的课题; 通过化学气相沉积法在多晶铜衬底上制备单层石墨烯,利用拉曼光谱和扫描隧道显微镜对石墨烯样品和多晶铜衬底的晶体结构和表面形貌进行表征,发现热退火过程可以使铜形成大面积的单晶畴区,从而形成一维石墨烯超晶格结构,利用扫描隧道谱技...; 关键词：扫描隧道显微镜石墨烯一维超晶格电子性质

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