文献类型：期刊文章

作　　者：罗颖[1] 王喆[1,2] 朱文光[1,2]

LUO Ying;WANG Zhe;ZHU Wenguang(International Center for Quantum Design of Functional Materials(ICQD),Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,China;Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics,Chinese Academy of Sciences,School of Physical Sciences,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,China)

机构地区：[1]中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家研究中心,国际功能材料量子设计中心(ICQD),安徽合肥230026 [2]中国科学技术大学物理学院,中科院强耦合量子材料物理重点实验室,安徽合肥230026

出　　处：《低温物理学报》

基　　金：financially supported by the National Key Research and Development Program of China(2017YFA0204904and 2019YFA0210004);the National Natural Science Foundation of China (11634011);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(Grant No. XDB30000000);Anhui Initiative in Quantum Information Technologies (Grant No.AHY170000);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (WK2340000082and WK2060190084)

年　　份：2021

卷　　号：43

期　　号：3

起止页码：149-156

语　　种：中文

收录情况：CAS、JST、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：基于第一性原理密度泛函理论计算,我们探索了V族元素(P,As和Sb)掺杂的单层二维铁电α-In_(2)Se_(3)的电子结构.由于本征的α-In_(2)Se_(3)中存在两个不等价的In原子层,V族元素掺杂在不同的In原子层会表现出不同的能带结构,对于带隙变化尤为明显.当掺杂元素位于α-In_(2)Se_(3)的四面体配位的In原子层时,其带隙相比于本征的单层α-In_(2)Se_(3)的带隙明显增大,这与通常半导体或绝缘体中杂质掺杂的物理图像相反.利用α-In_(2)Se_(3)的铁电特性,V族元素掺杂的单层α-In_(2)Se_(3)的带隙可以通过施加外电场翻转α-In_(2)Se_(3)电极化的方向来调控.这项工作为在二维材料中构建具有不同电子性质的非易失双态提供了一种实际有效的方法.

关 键 词：二维材料  铁电性 掺杂  密度泛函理论计算

分 类 号：O469]