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东南大学电子科学与工程学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心 收藏

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研究主题:抑制方法    PDP    高压功率器件    浪涌电压    可靠性    

研究学科:电子信息类    航空航天类    自动化类    

被引量:4H指数:2WOS: 2 EI: 1 北大核心: 3 CSCD: 3

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3 条 记 录,以下是 1-3

钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响
1
《固体电子学研究与进展》东南大学电子科学与工程学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心 刘侠 夏晓娟 孙伟锋  出版年:2009
针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片...
关键词:垂直双扩散金属氧化物场效应管  可靠性 钝化层
基于PDP驱动技术的行扫描芯片浪涌电压抑制方法
2
《液晶与显示》东南大学电子科学与工程学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心 王勇森 华国环 何晓莹 孙伟锋  出版年:2012
分析了等离子体显示器中行扫描芯片的浪涌电压产生机理。结合浪涌电压产生机理从PDP驱动技术的角度提出抑制浪涌电压的理论方案,并以实验室PDP模组为实验载体,通过修改控制板驱动代码来实现该方案。通过实测新方案的波形,并观察P...
关键词:PDP 行扫描芯片  浪涌电压 驱动技术
180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术 ( EI收录)
3
《物理学报》东南大学电子科学与工程学院 陈晓亮 孙伟锋  出版年:2022
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMO...
关键词:总剂量辐射效应 工艺加固  高压器件 嵌入式闪存
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