期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]东南大学电子科学与工程学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096
年 份:2009
卷 号:29
期 号:3
起止页码:465-468
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠性得到了有效的改善。
关 键 词:垂直双扩散金属氧化物场效应管 可靠性 钝化层
分 类 号:TN386.1]
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