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北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市嵌入式技术重点实验室 收藏

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研究主题：抑制比    CMOS带隙基准电压源    工作温度范围    温度系数    电源抑制比    

研究学科：电子信息类    

被引量：0H指数：0北大核心: 1 CSCD: 1

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1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
1
《北京工业大学学报》北京工业大学电子信息与控制工程学院北京嵌入式系统重点实验室 方穗明 王占仓 高风  出版年：2007
北京市教育委员会资助项目(0030400;4040111).
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系...
关键词：CMOS  带隙基准电压源 工作温度范围 电源抑制比 温度系数
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