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期刊文章详细信息

1.8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源    

A 1.8 V CMOS Bandgap Voltage Reference With High Power Supply Rejection Ratio

  

文献类型:期刊文章

作  者:方穗明[1] 王占仓[1] 高风[1]

机构地区:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院北京嵌入式系统重点实验室,北京100022

出  处:《北京工业大学学报》

基  金:北京市教育委员会资助项目(0030400;4040111).

年  份:2007

卷  号:33

期  号:10

起止页码:1052-1055

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5~1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.

关 键 词:CMOS  带隙基准电压源 工作温度范围 电源抑制比 温度系数

分 类 号:TN432.1]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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