期刊文章详细信息
1.8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
A 1.8 V CMOS Bandgap Voltage Reference With High Power Supply Rejection Ratio
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院北京嵌入式系统重点实验室,北京100022
基 金:北京市教育委员会资助项目(0030400;4040111).
年 份:2007
卷 号:33
期 号:10
起止页码:1052-1055
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5~1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
关 键 词:CMOS 带隙基准电压源 工作温度范围 电源抑制比 温度系数
分 类 号:TN432.1]
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