中国电子科技集团第二十四研究所 
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研究主题：电路 模拟集成电路 集成电路 模数转换器 比较器
研究学科：电子信息类 自动化类 电气类 经济学类 机械类
被引量：2,288H指数：15WOS: 8 EI: 20 北大核心: 746 CSCD: 579
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排序方式：
- 运算放大器电路的噪声分析和设计
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所 何峥嵘 出版年：2006
- 简要介绍了运算放大器电路包含的噪声类型。运用标准的电路理论和噪声模型,计算运算放大器电路的噪声。结合反相、同相和差分输入的运算放大器电路分析举例,讨论了推算运算放大器电路噪声的方法。最后,给设计人员提供了有关噪声设计的建...
- 关键词：运算放大器 噪声 谱密度 均方值 总的均方根噪声
- 盐雾试验条件对试验结果的影响
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆教育学院 唐毅 宋爱民 出版年：2009
- 盐雾试验利用人工模拟盐雾环境考核元器件的耐腐蚀性能,为改变元器件外壳质量提供试验依据。文章通过分组试验,对比影响盐雾试验有效性的各主要因素,列举试验温度、氯化钠溶液浓度和pH值、盐雾沉降率,以及产品放置角度等因素发生变化...
- 关键词：环境试验 盐雾试验 盐雾腐蚀 盐雾沉降率
- 人工神经网络的发展及现状
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所 徐学良 出版年：2017
- 人脑由复杂的神经网络构成,拥有极强的信息处理、学习和记忆能力,并且具有功耗低、神经元密度高等特点。利用现有的电路元件搭建出类似大脑功能的人工神经网络成为当今人工智能研究的热点。在人工神经网络的研究中,信息的编码、神经元模...
- 关键词：人工神经网络 忆阻器 神经元 突触
- 开关电源技术发展综述
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所 张纯亚 何林 章治国 出版年：2016
- 随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路径...
- 关键词：开关电源 硬开关 软开关 同步整流 数字控制 复合结构
- 振动试验夹具的设计
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- 《电子产品可靠性与环境试验》中国电子科技集团有限公司第二十四研究所 胡波 何林 出版年：2005
- 夹具是振动试验常用的工件之一,它的刚度、质量、重心的定位等动态特性参数是影响产品试验真实再现的重要因素。介绍了夹具的设计原则,提出了夹具设计中常见的问题和注意事项,并介绍了相关夹具的测试方法。
- 关键词：试验夹具 一阶共振频率 传递系数比
- 运算放大器共模抑制比的仿真与测试
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所 黄晓宗 黄文刚 刘伦才 晏开华 何峥嵘 王成鹤 王国强 出版年：2012
- 从运算放大器共模抑制比(CMRR)定义开始,对多种仿真和测试方法进行分析和比较,深入论述辅助元器件(如电阻和辅助放大器)对待测器件(DUT)仿真和测试结果的影响,分别总结出适合于仿真和测试的方法,为运算放大器设计过程中的...
- 关键词：运算放大器 共模抑制比 仿真 测试
- 低压差电压调节器技术发展动态
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- 《微电子学》模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所 赖凡 出版年：2004
- 介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较,提出了发展LDO的建议。
- 关键词：电压调节器 LDO CMOS PMOS DMOS
- 基于CORDIC改进算法的高速DDS电路设计 ( EI收录)
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- 《华中科技大学学报（自然科学版）》中国电子科技集团公司第24研究所;华中科技大学电子科学与技术系 姚亚峰 付东兵 杨晓非 出版年：2009
- 实现了一种改进的CORDIC算法,其迭代方向由输入角二进制表示时的各位位值直接确定,避免了CORDIC基本算法中迭代方向需由剩余角度计算结果决定的不足,提高了CORDIC算法的运行速度,并且基于这种改进的CORDIC算法...
- 关键词：电路设计 直接数字频率合成 超大规模集成电路 角度旋转 CORDIC算法
- AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所;西安电子科技大学微电子学院 李金龙 谈侃侃 张志红 胡琼 罗俊 李双江 出版年：2012
- AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用...
- 关键词：AuSn 合金焊料 电子封装
- 微电子器件抗辐射加固技术发展研究
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- 《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所 王健安 谢家志 赖凡 出版年：2014
- 对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完整...
- 关键词：微电子器件 抗辐射加固 SOI SIGE
