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复旦大学物理学系先进光子学材料与器件国家重点实验室 收藏

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研究主题:存贮器    LB膜    厚度    电滞回线    铁电性    

研究学科:

被引量:1H指数:1WOS: 1 北大核心: 1 CSCD: 1

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半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系 ( SCI收录)
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《物理化学学报》复旦大学光科学与工程系;复旦大学物理学系;红外物理国家重点实验室 李淑红 马世红 李波 孙兰 王根水 孟祥建 褚君浩 王文澄  出版年:2004
国家自然科学基金(60378035;10274014;19704004);上海市教育发展基金会;上海市教育委员会"曙光计划"项目;教育部留学回国人员基金;中科院红外物理国家重点实验室开放课题资助项目~~
报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30~200nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/...
关键词:半花菁染料  LB膜 铁电性 厚度 电滞回线 矫顽电场  存贮器
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