文献类型：期刊文章

作　　者：李淑红[1] 马世红[2] 李波[2] 孙兰[3] 王根水[3] 孟祥建[3] 褚君浩[3] 王文澄[1]

机构地区：[1]复旦大学光科学与工程系,先进光子学材料与器件国家重点实验室 [2]复旦大学物理学系,先进光子学材料与器件国家重点实验室,上海200433 [3]红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60378035;10274014;19704004);上海市教育发展基金会;上海市教育委员会"曙光计划"项目;教育部留学回国人员基金;中科院红外物理国家重点实验室开放课题资助项目~~

年　　份：2004

卷　　号：20

期　　号：10

起止页码：1253-1257

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000224795800018)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000224795800018)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量-优值(Ps/εrEC)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE)(n:n=70:30)的优值数值处在同一数量级上.

关 键 词：半花菁染料  LB膜 铁电性 厚度 电滞回线 矫顽电场  存贮器

分 类 号：TB34[材料类]