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锆钛酸钡(BZT)电子结构的第一性原理研究 ( EI收录)
1
《功能材料》重庆科技学院冶金与材料工程学院;中国工程物理研究院化工材料研究所 霍萌 符春林 郭倩 廖欢 邓小玲 张朝阳  出版年:2011
重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ101415)
采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3(BTO)的电子结构进行了第一性原理研究。结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡(BZT)的总态密度向高能量方向...
关键词:锆钛酸钡  第一性原理 能带  
Ni掺杂ZnS的第一性原理计算 ( EI收录)
2
《人工晶体学报》重庆科技学院冶金与材料工程学院;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;中国工程物理研究院化工材料研究所 曾冬 符春林 蔡苇 郭倩 谭平 张朝阳  出版年:2013
国家自然科学基金(51102288);重庆市自然基金重点项目(CSTC2011BA4027);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KFJJ201104);重庆市教委科学技术研究项目(KJ121408)
采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带...
关键词:第一性原理 硫化锌 电子结构 光学性质 掺杂  
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